(54)創(chuàng)造名稱
信號(hào)線結(jié)構(gòu)
(57)摘要
本創(chuàng)造揭露了一種設(shè)置于一顯現(xiàn)器的一柵極
驅(qū)動(dòng)器與一顯現(xiàn)區(qū)域間的信號(hào)線結(jié)構(gòu),此信號(hào)線
結(jié)構(gòu)包含:多條榜首金屬層、一榜首絕緣層、多條
第二金屬層、一第二絕緣層以及多條第三金屬層
依序構(gòu)成于一基板上,其間相鄰兩第二金屬層間
的間隔小于相鄰兩榜首金屬層間的間隔。
權(quán)利要求書
1.一種信號(hào)線結(jié)構(gòu),其特征在于,設(shè)置于一顯現(xiàn)器的一柵極驅(qū)動(dòng)器與一顯現(xiàn)區(qū)域間,至
少包含
一基板
多條榜首金屬層,平行設(shè)置于該基板的一榜首方向上;
榜首絕緣層,設(shè)置于該基板上并覆蓋該些條榜首金屬層
多條第二金屬層,設(shè)置于該榜首絕緣層上對(duì)應(yīng)于該些榜首金屬層之處
第二絕緣層,設(shè)置于該第二金屬層以及該榜首絕緣層上;以及
多條第三金屬層,設(shè)置于該第二絕緣層上對(duì)應(yīng)于該些第二金屬層之處,其間相鄰兩第
二金屬層間的間隔小于相鄰兩榜首金屬層間的間隔
2.依據(jù)權(quán)利要求1所述的信號(hào)線結(jié)構(gòu),其特征在于,該基板為一玻璃基板、一塑料基
板
依據(jù)權(quán)利要求1所述的信號(hào)線結(jié)構(gòu),其特征在于,該榜首絕緣層的資料為氮化硅、氧
化硅、氧化鋁或、氧化釔原料。
4.依據(jù)權(quán)利要求1所述的信號(hào)線結(jié)構(gòu),其特征在于,該第二絕緣層的資料為氮化硅、氧
化硅、氧化鋁、氧化釔、樹脂、聚胺族、或結(jié)合無機(jī)與有機(jī)的復(fù)合絕緣層
5.依據(jù)權(quán)利要求1所述的信號(hào)線結(jié)構(gòu),其特征在于,該通明電極層的原料為銦錫氧化
物、銦鋅氧化物、鉬、鉻、鉬鉻或其它通明導(dǎo)電原料。
依據(jù)杈利要求1所述的信號(hào)線結(jié)構(gòu),其特征在于,該榜首金屬層的資料為鉬、鉻、銅
鋁、鎳、鉈、鉭、鋁釹合金或上述的組合。
7.依據(jù)權(quán)利要求1所述的信號(hào)線結(jié)構(gòu),其特征在于,該第二金屬層的資料為鉬、鉻、銅
鋁、鎳、鉈、鉭、鋁釹合金或上述的組合
8.依據(jù)權(quán)利要求1所述的信號(hào)線結(jié)構(gòu),其特征在于,該信號(hào)線結(jié)構(gòu)是用以將棚極驅(qū)動(dòng)
器輸出的掃描信號(hào)傳遞至該顯現(xiàn)區(qū)域的掃描配線
9.依據(jù)權(quán)利要求1所述的信號(hào)線結(jié)構(gòu),其特征在于,還包含多個(gè)榜首觸摸窗構(gòu)成于該
榜首絕緣層上,該第三金屬層,透過該些榜首觸摸窗耦接該些榜首金屬層,以及多個(gè)第二接
觸窗構(gòu)成于該第二絕緣層上,該第三金屬層透過該些第二觸摸窗耦接該些第二金屬層
10.依據(jù)權(quán)利要求1所述的信號(hào)線結(jié)構(gòu),其特征在于,該第二金屬層于該榜首方向上的
長(zhǎng)度小于該榜首金屬層于該榜首方向上的長(zhǎng)度
信號(hào)線結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
[000本創(chuàng)造是有關(guān)于一種信號(hào)線結(jié)構(gòu),且特別是有關(guān)于一種平面顯現(xiàn)器的信號(hào)線結(jié)
背景技術(shù)
[002]平面顯現(xiàn)器因?yàn)榫哂畜w積小、重量輕的特性,在可攜式顯現(xiàn)設(shè)備,以及小空間應(yīng)用
的顯現(xiàn)器市場(chǎng)中極具優(yōu)勢(shì)。
[003]圖1繪示一已知平面顯現(xiàn)裝置的剖視圖。平面顯現(xiàn)裝置100首要包含一薄膜晶體
管陣列基板110、對(duì)向基板120、一顯現(xiàn)資料層130以及一通明電極層140。通明電極層
140的原料例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物( indium zinc oxide,Iz0)或其它通明導(dǎo)電材
質(zhì)。顯小資料層130是裝備于通明電極層140與薄膜晶體管陣列基板110的像素電極112
之間。通過各像素電極112與通明電極層140之間的電場(chǎng)改變,可使顯現(xiàn)裝置100的各像
素呈現(xiàn)出不同的光學(xué)特性
[0004圖2繪示上述平面顯現(xiàn)裝置100的上視圖。顯現(xiàn)裝置100具有一顯現(xiàn)區(qū)域102以
及坐落顯現(xiàn)區(qū)域102外圍的一周邊線路區(qū)域104。數(shù)據(jù)配線151與掃瞄配線152裝備在顯
示區(qū)域102內(nèi)劃分出多個(gè)像素區(qū)域110a。此外,薄膜晶體管114與像素電極112分別裝備
于像素區(qū)域110內(nèi),其間薄膜晶體管114銜接至所對(duì)應(yīng)的掃描配線152與數(shù)據(jù)配線154,而
像素電極112銜接至薄膜晶體管114。周邊線路區(qū)域104內(nèi)裝備有多個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器142以
及源極驅(qū)動(dòng)器14,其間柵極驅(qū)動(dòng)器142銜接掃描配線152,以在顯現(xiàn)時(shí)將驅(qū)動(dòng)信號(hào)經(jīng)由掃
描配線152輸入至薄膜晶體管114的柵極,使得薄膜晶體管114呈開啟的狀態(tài)。源極驅(qū)動(dòng)
器14銜接數(shù)據(jù)配線154,以在薄膜晶體管114開啟后,將顯現(xiàn)數(shù)據(jù)輸入至像素電極112。
[005]但是傳統(tǒng)上,請(qǐng)參閱圖3所示的擴(kuò)大圖示,為了節(jié)省周邊線路區(qū)域104的面積,位
在柵極驅(qū)動(dòng)器142與顯現(xiàn)區(qū)域102間的掃描配線152,亦即區(qū)域156處的掃描配線152,其
彼此間的距離會(huì)被緊縮至間隔Δ,當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)器142供給高驅(qū)動(dòng)電壓給掃配線152a時(shí),相
鄰的掃描配線152b是被供給給低電壓的,此電壓差因掃描配線間的間隔大幅減縮而產(chǎn)生
大電場(chǎng),此大電場(chǎng)會(huì)形成掃描配線152a和152b被腐蝕,進(jìn)而影響驅(qū)動(dòng)信號(hào)的正確傳送
[006]囚比急需有一種新的結(jié)構(gòu),可解決上述線路被腐的問題
創(chuàng)造內(nèi)容
[o0]本創(chuàng)造的一日的即是在提供一種具犧牲電極的信號(hào)線結(jié)構(gòu),來解決線路被腐蝕的
[o08本創(chuàng)造的一方面在提供一種信號(hào)線結(jié)構(gòu),此信號(hào)線結(jié)構(gòu)是設(shè)置于一顯現(xiàn)器的一柵
極驅(qū)動(dòng)器與一顯現(xiàn)區(qū)域間。此信號(hào)線結(jié)構(gòu)包含:一基板、多條榜首金屬層、一榜首絕緣層、多
條第二金屬層、一第二絕緣層以及多條第三金屬層。其間,多條榜首金屬層,平行設(shè)置于基
板的一榜首方向上。榜首絕緣層設(shè)置于基板上并覆蓋該些條榜首金屬層。多條第二金屬層
設(shè)置于該榜首絕緣層上對(duì)應(yīng)于該些榜首金屬層之處。第二絕緣層設(shè)置于第二金屬層以及第
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